En mesurant une amélioration de la conductivité du silicium au-delà de la pression de 1 gigapascal, des physiciens français du laboratoire Physique de la matière condensée (CNRS/Ecole Polytechnique) et de l’Institut d’électronique, de microélectronique et de nanotechnologie (CNRS/Université Lille 1/Université Valencienne/ISEN/Ecole Centrale Lille) et suisses viennent de montrer que la technologie du silicium sous contrainte n’a pas encore atteint ses limites.